石墨盖帽高温热解4H-Si-face-SiC外延生长石墨烯 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

会议论文《石墨盖帽高温热解4H-Si-face-SiC外延生长石墨烯》探讨了在4H-Si-face-SiC基底上通过石墨盖帽高温热解方法制备石墨烯的工艺。该研究为高质量石墨烯的外延生长提供了新思路，对半导体器件和新型电子材料的发展具有重要意义。

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