会议论文《MOCVD选择区域外延和对接生长研究》探讨了金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在半导体材料制备中的应用。文章重点分析了选择区域外延技术的工艺参数及对接生长过程，为高性能化合物半导体器件的制备提供了理论支持与实验依据。该研究对于提升器件性能、降低生产成本具有重要意义，是第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议的重要成果之一。
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