会议论文《SiC衬底GaN蓝光LED性能分析》发表于第七届中国国际半导体照明论坛，探讨了采用碳化硅（SiC）作为衬底材料的氮化镓（GaN）蓝光LED的性能表现。文章分析了其光电特性、发光效率及热管理效果，指出SiC衬底在热导率和结构稳定性方面的优势，为高亮度LED的发展提供了重要参考。
文档为pdf格式，0.14MB，总共3页。
举报
