会议论文《InAs_AlSb HEMT器件栅槽腐蚀实验研究》探讨了基于InAs/AlSb异质结的高电子迁移率晶体管（HEMT）在栅槽腐蚀过程中的特性与影响因素。研究通过实验分析了不同腐蚀参数对器件性能的影响，旨在优化栅结构制备工艺，提高器件的电学性能和稳定性。该成果对推动高性能半导体器件的发展具有重要意义。
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