会议论文《原子层淀积铪铝氧高K栅介质特性研究》发表于第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议。该文研究了通过原子层淀积技术制备的铪铝氧（HfAlO）高K栅介质的物理和电学特性，分析了其介电常数、漏电流及界面特性，为先进半导体器件的栅介质优化提供了理论依据和技术支持。
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