会议论文《基于STI的Si材料应力引入技术研究》发表于2009年四川省电子学会半导体与集成技术专委会学术年会。该文探讨了通过STI（浅沟槽隔离）技术在硅材料中引入应力的方法，分析了其对器件性能的影响，为提高半导体器件性能提供了理论支持和技术参考。
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