会议论文《单轴附加应变对体硅及应变硅MOSFETs电子迁移率的影响》探讨了单轴应变对两种材料中电子迁移率的影响。研究结果表明，应变硅中的电子迁移率显著提高，而体硅则表现不同。该文为优化MOSFET性能提供了理论依据。
文档为pdf格式，0.23MB，总共7页。
举报
