基于BCD工艺下LDPMOS的设计与优化 - 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议.pdf

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2026-1-11 14:55 | 查看全部 阅读模式

会议论文《基于BCD工艺下LDPMOS的设计与优化》探讨了在BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺下低压双极型MOS(LDPMOS)器件的设计与优化方法。文章分析了LDPMOS的结构特点和性能优势,提出了针对BCD工艺的优化方案,以提升器件的驱动能力和稳定性。该研究对提高功率集成电路的性能具有重要意义。

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基于BCD工艺下LDPMOS的设计与优化 - 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
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