会议论文《基于LVTSCR的栅氧化层ESD保护》探讨了利用低阈值硅控整流器（LVTSCR）对栅氧化层进行静电放电（ESD）保护的技术方案。该研究针对CMOS器件在制造过程中可能受到的ESD损害，提出了一种有效的保护机制。通过优化LVTSCR的结构和参数，提高了器件的抗ESD能力，为半导体集成电路的可靠性提供了理论支持和实践指导。
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