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质子辐照对InP_InGaAs异质结界面态的影响 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2026-1-10 08:35 | 查看全部阅读模式

会议论文《质子辐照对InP_InGaAs异质结界面态的影响》探讨了质子辐照对InP/InGaAs异质结界面态特性的影响。研究通过实验分析了不同辐照剂量下界面态密度的变化，揭示了质子辐照引起的电荷陷阱和界面缺陷的形成机制。该成果对提升半导体器件在辐射环境下的可靠性具有重要意义。

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质子辐照对InP_InGaAs异质结界面态的影响 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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