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AlGaN_GaN HEMT热形貌分布特性仿真 - 2010’全国第十三届微波集成电路与移动通信学术会议.pdf

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2026-1-11 00:15 | 查看全部阅读模式

会议论文《AlGaN_GaN HEMT热形貌分布特性仿真》探讨了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的热分布特性，通过仿真方法分析其在工作状态下的温度分布情况。该研究对提升器件性能和可靠性具有重要意义，为功率电子器件的热设计提供了理论支持。

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AlGaN_GaN HEMT热形貌分布特性仿真 - 2010’全国第十三届微波集成电路与移动通信学术会议.pdf

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形貌, 移动通信, 集成电路, 微波, 仿真

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