Cu注入n-Si稀磁半导体磁性研究 - 第十二届全国固体薄膜会议.pdf

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2026-1-11 00:19 | 查看全部 阅读模式

会议论文《Cu注入n-Si稀磁半导体磁性研究》发表于第十二届全国固体薄膜会议,探讨了铜离子注入n型硅后形成的稀磁半导体的磁性特性。研究通过实验分析了Cu注入对材料磁性能的影响,揭示了其在自旋电子学领域的潜在应用价值。该工作为开发新型半导体磁性材料提供了理论依据和技术支持。

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Cu注入n-Si稀磁半导体磁性研究 - 第十二届全国固体薄膜会议
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