GaN垂直结构LED提取效率的研究 - 第七届中国国际半导体照明论坛.pdf

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2026-1-11 00:25 | 查看全部 阅读模式

会议论文《GaN垂直结构LED提取效率的研究》发表于第七届中国国际半导体照明论坛,探讨了GaN垂直结构LED在光提取效率方面的优化方法。文章分析了结构设计对光输出的影响,提出通过改进电极布局和表面纹理来提高光子提取效率。研究结果对提升LED性能具有重要意义,为后续高效发光器件的研发提供了理论支持和技术参考。

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GaN垂直结构LED提取效率的研究 - 第七届中国国际半导体照明论坛
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