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C波段高功率八胞GaN基HEMT的相关研究 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2026-1-10 01:14 | 查看全部阅读模式

会议论文《C波段高功率八胞GaN基HEMT的相关研究》探讨了基于GaN的高电子迁移率晶体管在C波段的应用。该研究通过优化器件结构和工艺，提升了器件的输出功率与效率，适用于高频高功率通信系统。论文为GaN器件在射频领域的进一步发展提供了理论支持和技术参考。

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C波段高功率八胞GaN基HEMT的相关研究 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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学术会议, 波段, 集成电路, 半导体, 功率

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