会议论文《功率VDMOS集成ESD防护设计》发表于2010年全国半导体器件技术研讨会，探讨了在功率VDMOS器件中集成静电放电（ESD）保护电路的设计方法。文章分析了ESD防护结构对器件性能的影响，并提出了优化方案，以提高器件的可靠性与稳定性。该研究对于提升功率半导体器件的抗静电能力具有重要意义。
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