会议论文《干法栅挖槽GaAs HFET功率管》介绍了采用干法刻蚀技术制造的GaAs高电子迁移率晶体管（HFET）。该研究针对功率器件的性能提升，通过优化栅极结构设计，提高了器件的稳定性和工作频率。文章详细分析了工艺流程与电学特性，展示了该技术在高频、高功率应用中的潜力，为半导体器件的发展提供了重要参考。
文档为pdf格式，0.96MB，总共4页。
举报
