会议论文《新型4H-SiC射频功率MESFET大信号经验电容模型》发表于2010年全国军事微波会议。该文提出了一种针对4H-SiC射频功率MESFET的大信号电容模型，通过实验数据验证了其准确性。该模型有助于提高射频器件的仿真精度，对高性能射频电路设计具有重要意义。
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