会议论文《MOCVD生长AlGaInP_InGaAsP大功率808nm无铝量子阱激光器》介绍了采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术制备的808nm大功率激光器。该激光器采用AlGaInP/InGaAsP结构，摒弃传统含铝材料，提升了器件稳定性和寿命。研究通过优化生长参数，实现了高效、高亮度的输出，为高功率光电子器件提供了新方案。
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