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低微管密度SiC单晶生长(邀请报告) - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 09:30 | 查看全部阅读模式

会议论文《低微管密度SiC单晶生长(邀请报告)》介绍了在第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议上关于降低SiC单晶中微管密度的研究成果。该报告探讨了通过优化生长工艺，提高SiC晶体质量的方法，对推动宽禁带半导体材料的发展具有重要意义。

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