会议论文《利用侧向湿法腐蚀Al InN牺牲层技术构造GaN微腔》介绍了通过侧向湿法腐蚀AlInN牺牲层，实现高精度GaN微腔结构的制备方法。该技术有效提高了微腔的尺寸控制和表面质量，为氮化镓基光电器件的发展提供了新思路。文章在第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议上发表，展示了该领域的最新研究成果。
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