垂直结构GaN基LEDs热压键合应力损伤分析 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 11:05 | 查看全部 阅读模式

会议论文《垂直结构GaN基LEDs热压键合应力损伤分析》探讨了在垂直结构GaN基LEDs制造过程中,热压键合工艺对器件性能的影响。研究通过实验分析了键合过程中的应力分布及可能产生的损伤机制,为优化键合参数、提升器件可靠性提供了理论依据和技术支持。

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垂直结构GaN基LEDs热压键合应力损伤分析 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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