区熔法硅单晶生长的电磁场仿真计算 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 10:19 | 查看全部 阅读模式

会议论文《区熔法硅单晶生长的电磁场仿真计算》发表于第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议。该文通过仿真方法研究了区熔法生长硅单晶过程中电磁场的分布与影响,为优化晶体生长工艺提供了理论依据。研究有助于提高单晶硅的质量和生产效率,对半导体材料领域具有重要意义。

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区熔法硅单晶生长的电磁场仿真计算 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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