会议论文《国产SiC衬底GaN HEMT外延材料研究进展》介绍了我国在SiC衬底上生长GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）外延材料的最新研究成果。文章分析了材料生长工艺、结构优化及性能提升等方面的关键技术，展示了国产材料在电学特性、热稳定性及可靠性方面的进步，为高性能微波器件和电力电子器件的发展提供了重要支持。
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