会议论文《基于BCD工艺的高压PMOS器件设计》介绍了在BCD工艺下高压PMOS器件的设计方法。文章分析了器件结构、电场分布及可靠性问题，提出了优化方案以提高器件性能和稳定性。该研究对高压集成电路设计具有重要参考价值，为相关领域的技术发展提供了理论支持。
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