会议论文《垂直式HVPE生长GaN材料的数值模拟》探讨了利用氢化物气相外延（HVPE）技术在垂直方向上生长氮化镓（GaN）材料的过程。通过建立数学模型，研究了温度场、气体流动及反应动力学对GaN晶体生长的影响，为优化生长参数提供了理论依据，对提升GaN材料质量具有重要意义。
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