会议论文《在碳化硅衬底上制备Si_SiC异质结》介绍了在碳化硅衬底上生长硅基异质结的技术方法。该研究针对Si与SiC材料的晶格失配问题，提出了一种有效的外延生长策略，显著提高了异质结的质量和性能。研究成果为高性能功率器件和高频电子器件的开发提供了重要基础。
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