会议论文《在(311)A GaAs衬底上生长的Si掺杂GaAs_AlGaAs P沟道HFET结构材料特性研究》探讨了基于(311)A GaAs衬底的Si掺杂GaAs/AlGaAs P沟道高电子迁移率晶体管（HFET）的材料特性。研究分析了材料的结构质量、电学性能及界面特性，为高性能微波器件的开发提供了重要参考。
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