利用氟基等离子注入对AlGaN_GaN HEMT阈值电压的控制技术_从常开器件到常关器件 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 10:08 | 查看全部阅读模式

会议论文《利用氟基等离子注入对AlGaN/GaN HEMT阈值电压的控制技术——从常开器件到常关器件》探讨了通过氟基等离子注入技术调节HEMT器件阈值电压的方法。该研究有效实现了从常开型到常关型器件的转变，提升了器件性能和应用可靠性，为宽禁带半导体器件的优化提供了新思路。

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