基于0.5μm CMOS工艺的高压器件研究 - 中国电子学会第十四届青年学术年会.pdf

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2026-1-12 11:12 | 查看全部 阅读模式

会议论文《基于0.5μm CMOS工艺的高压器件研究》发表于中国电子学会第十四届青年学术年会。该文探讨了在0.5μm CMOS工艺下设计与实现高压器件的技术路径,分析了器件结构对耐压性能的影响,提出了优化方案以提升器件可靠性与性能。研究对推动高性能集成电路发展具有重要意义。

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基于0.5μm CMOS工艺的高压器件研究 - 中国电子学会第十四届青年学术年会
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