会议论文《优化场板GaN HEMT沟道电子温度分布抑制电流崩塌》针对GaN HEMT器件在高功率应用中出现的电流崩塌问题，提出通过优化场板结构来改善沟道电子温度分布。研究采用仿真与实验相结合的方法，分析不同场板参数对器件性能的影响，结果表明优化后的结构可有效降低沟道热点温度，提升器件稳定性和可靠性，为高性能GaN器件设计提供新思路。
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