热氧化对6H-SiC少子寿命的影响研究 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

1 0
2026-1-10 07:09 | 查看全部 阅读模式

会议论文《热氧化对6H-SiC少子寿命的影响研究》探讨了热氧化工艺对6H-SiC材料中少子寿命的影响。研究通过实验分析了不同氧化条件下样品的电学特性,发现热氧化过程会显著改变少子寿命,进而影响器件性能。该成果为6H-SiC在功率电子器件中的应用提供了理论依据和技术支持。

文档为pdf格式,0.6MB,总共4页。

热氧化对6H-SiC少子寿命的影响研究 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
文件大小:
614.4 KB
高速下载
2026 资料下载 联系邮件:1991591830#qq.com 浙ICP备2024084428号-1