会议论文《基于InAsP_InGaAsP量子阱的1.3-μm垂直腔面发射激光器》介绍了采用InAsP/InGaAsP量子阱结构设计的1.3微米波长垂直腔面发射激光器。该研究通过优化材料生长和器件结构，实现了高效、低阈值的激光输出，适用于高速光通信系统。论文在第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议上发表，展示了新型光电子器件的研究进展。
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