基于InGaAs_InP SHBT技术的10 Gb_s单片跨阻放大器研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 11:27 | 查看全部 阅读模式

本文介绍了基于InGaAs/InP SHBT技术的10 Gb/s单片跨阻放大器的研究成果。该放大器采用先进的半导体异质结双极晶体管技术,实现了高速、低噪声的信号放大功能。研究针对光通信系统中的高速数据传输需求,优化了电路设计与工艺参数,提升了器件性能。实验结果表明,该跨阻放大器在10 Gb/s速率下具有良好的响应特性和稳定性,为高速光通信提供了有力支持。

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基于InGaAs_InP SHBT技术的10 Gb_s单片跨阻放大器研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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