会议论文《基于光子晶格结构的InGaN_GaN系发光器件》介绍了通过引入光子晶格结构提升InGaN/GaN系发光器件性能的研究。该研究旨在利用光子晶格增强光提取效率，优化器件的发光特性。论文展示了实验设计与模拟结果，为高亮度、高效发光二极管的发展提供了新思路。
文档为pdf格式，0.78MB，总共4页。
举报
