基于Ratchet效应的平面纳米二极管 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 11:34 | 查看全部 阅读模式

会议论文《基于Ratchet效应的平面纳米二极管》介绍了利用Ratchet效应设计的新型平面纳米二极管。该研究通过理论分析与实验验证,探讨了纳米结构在光电子器件中的应用潜力。论文提出了一种基于周期性势垒调制的二极管结构,能够有效提升光电转换效率。研究成果为未来高效、小型化光电器件提供了新思路。

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基于Ratchet效应的平面纳米二极管 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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