2008年上海纳米科技与产业发展研讨会上发表的会议论文，比较了合金靶溅射与共溅射法制备Si2Sb2Te5材料的性能差异。研究结果表明，两种方法制备的材料在结构和热电性能上存在显著区别，合金靶溅射方法更有利于获得均匀的薄膜，而共溅射则能更好地控制元素比例。该研究对优化热电材料制备工艺具有重要参考价值。
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