会议论文《关于Si1-x-yGexCy工艺和材料特性的一些研究》发表于第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议。该文探讨了Si1-x-yGexCy合金的制备工艺及其材料特性，分析了其在半导体器件中的应用潜力。研究通过实验方法优化了生长条件，提升了材料质量，并对其电学与结构性能进行了详细表征，为新型半导体材料的发展提供了理论依据和技术支持。
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