会议论文《几何约束下单晶硅应力非均匀氧化影响因素研究》发表于中国微米纳米技术学会第十一届学术年会。该研究探讨了在几何约束条件下，单晶硅在氧化过程中产生的应力非均匀性及其影响因素。通过实验与模拟分析，论文揭示了结构设计、工艺参数对氧化层质量的关键作用，为微电子器件制造中的氧化工艺优化提供了理论依据和技术支持。
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