会议论文《具有复合耐压层的深槽型DMOS设计》发表于第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议。该文针对深槽型DMOS器件的耐压性能进行研究，提出一种复合耐压层结构，有效提升了器件的击穿电压和可靠性。通过优化结构设计，实现了更高的功率密度与更优的电特性，为高性能功率器件的发展提供了新思路。
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