典型光电器件总剂量辐照效应试验研究 - 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会.pdf

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2026-1-11 13:28 | 查看全部 阅读模式

会议论文《典型光电器件总剂量辐照效应试验研究》探讨了光电器件在总剂量辐射环境下的性能变化。通过实验分析不同辐射剂量对器件特性的影响,为提高器件抗辐射能力提供理论依据和技术支持。该研究对于保障电子设备在高辐射环境中的可靠性具有重要意义。

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典型光电器件总剂量辐照效应试验研究 - 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
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