会议论文《水平热壁式CVD SiC外延均匀性研究》探讨了水平热壁化学气相沉积（CVD）技术在制备碳化硅（SiC）外延层中的应用。文章分析了工艺参数对SiC外延层均匀性的影响，提出了优化方案以提高薄膜质量与一致性。该研究对于提升SiC器件性能具有重要意义，为宽禁带半导体材料的制备提供了理论支持和技术参考。
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