会议论文《生长温度对Si1-zGez_C薄膜外延生长的影响》探讨了不同生长温度对Si1-zGez_C薄膜外延质量的影响。研究结果表明，生长温度显著影响薄膜的结晶质量和成分分布，优化温度可提高材料性能。该工作为高性能半导体器件的制备提供了重要参考。
文档为pdf格式，0.52MB，总共4页。
举报
