本文介绍了通过激光剥离技术将GaN基LED薄膜转移到Cu衬底上的过程，并分析了其器件特性。研究结果表明，该技术有效提高了LED的散热性能和光输出功率。同时，文章探讨了转移后器件的电学和光学特性，为高性能GaN基LED的发展提供了新思路。
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