会议论文《生长条件对MOCVD外延生长AlInN薄膜的影响》探讨了不同生长参数对AlInN薄膜质量的影响。研究通过调整温度、压力及前驱体流量等关键因素，分析其对外延层结构和性能的作用。结果表明，优化生长条件可显著提升AlInN薄膜的结晶质量和光电特性，为高性能半导体器件的制备提供了理论依据与实验支持。
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