水平热壁式CVD系统中生长源流量对外延速率及掺杂浓度的影响 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 15:13 | 查看全部阅读模式

本文研究了水平热壁式CVD系统中生长源流量对GaAs外延速率及掺杂浓度的影响。通过实验分析发现，生长源流量的增加会显著提高外延生长速率，但过高的流量会导致掺杂均匀性下降。研究结果为优化CVD工艺参数提供了理论依据，有助于提升半导体材料的质量和性能。

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