会议论文《激光剥离对于GaN外延材料应力的影响》探讨了激光剥离技术对GaN外延材料内部应力分布的影响。研究通过实验分析表明，激光剥离可有效降低材料的残余应力，改善其晶体质量。该成果为GaN器件的高性能制备提供了理论支持和技术参考，对提升半导体器件性能具有重要意义。
文档为pdf格式，0.53MB，总共4页。
举报
