气相掺杂FZ单晶电阻率的控制 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 15:06 | 查看全部 阅读模式

会议论文《气相掺杂FZ单晶电阻率的控制》探讨了通过气相掺杂技术对直拉法(FZ)单晶硅电阻率的精确控制方法。该研究针对半导体材料生产中的关键问题,提出了有效的工艺优化方案,以提高单晶硅的电学性能和均匀性。论文在第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议上发表,为相关领域的研究与应用提供了重要参考。

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气相掺杂FZ单晶电阻率的控制 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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