会议论文《热氧化电子束蒸发Ti膜制备TiO2-AlGaN_GaN MIS结构的工艺及泄漏电流特性研究》介绍了通过热氧化电子束蒸发Ti膜制备TiO2-AlGaN_GaN金属-绝缘体-半导体（MIS）结构的工艺方法，并分析了其泄漏电流特性。该研究对提升GaN基器件性能具有重要意义，为高性能微波器件和光电器件的开发提供了理论支持和技术参考。
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