低损耗、高Qm的(Na0.5K0.5)NbO3掺杂Cu2Ta4O12无铅压电陶瓷 - 中国电子学会第十五届电子元件学术年会.pdf

会议论文《低损耗、高Qm的(Na0.5K0.5)NbO3掺杂Cu2Ta4O12无铅压电陶瓷》介绍了通过掺杂Cu2Ta4O12改善(Na0.5K0.5)NbO3陶瓷性能的研究。该研究旨在降低介电损耗并提高品质因数Qm，为无铅压电材料的应用提供新思路，具有重要的实际价值和理论意义。

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低损耗、高Qm的(Na0.5K0.5)NbO3掺杂Cu2Ta4O12无铅压电陶瓷 - 中国电子学会第十五届电子元件学术年会.pdf

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