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一种新型阶梯变掺杂的双栅SOI LDMOS - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会.pdf

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2026-1-12 08:43 | 查看全部阅读模式

会议论文《一种新型阶梯变掺杂的双栅SOI LDMOS》介绍了基于SOI技术的双栅LDMOS器件结构。该论文提出了一种阶梯变掺杂的优化设计，有效改善了器件的击穿电压和导通电阻特性。通过仿真与实验验证，该结构在性能上表现出明显优势，为高性能功率器件的发展提供了新思路。

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一种新型阶梯变掺杂的双栅SOI LDMOS - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会.pdf

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